MOCVD加热器部件
金属有机物化学气相沉积Metal Organic Chemical Vapor Deposition，即MOCVD，是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种芯片外延技术。在MOCVD系统中，晶体生长多在常压或低压状态下，衬底温度为500～1200℃。为了能够生长出纯净、界面陡峭、一致性好的薄膜材料，MOCVD设备需要为化学反应提供合适的环境。加热系统是 MOCVD 设备的重要组成部分，它能否快速、均匀的加热衬底，直接影响着薄膜沉积的质量、厚度一致性，以及芯片的性能。
MOCVD加热器的工况非常苛刻，要求连续工作时间长，温度高、热流密度大和反复的升降温。电阻片是加热器的核心部分，在通以一定的电流后电阻片发热，成为整个设备的热源。用于放置衬底的石墨盘表面温度为1350K的时候，电阻片的温度高达2000K，升温过程中电阻加热器的温度可以达到2500℃以上，所以选用的材料必须有熔点高、高温强度好、化学稳定性高等特性。
钨、钼、铼等难熔金属材料具有耐高温、低污染、优异的耐蠕变性能、较高的尺寸稳定性、膨胀系数低、可焊接性能等优势，故常用做MOCVD加热器的加热丝、隔热屏、导电板等零部件。
MOCVD加热器所需零件包括铼片、铼条、铼棒、钼铼合金丝、钼铼合金棒、钼铼合金片、钼铼合金箔、钨铼热电偶丝、钨铼合金丝、钨铼合金棒、钨铼合金棒或其他钨钼订制品。
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